倍頻晶體及溫度控製
在高功率綠光激光器中,基波在倍頻晶體(ti) 上的功率密度較大,倍頻晶體(ti) 吸收部分基波和倍頻光會(hui) 產(chan) 生熱效應,晶體(ti) 內(nei) 部的溫度升高,導致常溫下晶體(ti) 切割的相位匹配角發生偏移,引起倍頻晶體(ti) 的相位失配;另外,隨著泵浦功率的增加,晶體(ti) 的熱透鏡焦距也在發生變化,從(cong) 而限製了倍頻光輸出功率的提高。所以必須對倍頻晶體(ti) 采取有效和快速冷卻及精密溫度控製措施,倍頻晶體(ti) 冷卻實驗裝置采用半導體(ti) 製冷片進行製冷和加熱,能實現倍頻晶體(ti) 精密溫度控製和倍頻晶體(ti) 長時間穩定工作。半導體(ti) 製冷片的熱端通水冷卻後能有效改善倍頻晶體(ti) 在激光加載過程中的溫度穩定性,綠光功率很快趨於(yu) 穩定。
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