光刻機的作用原理
芯片的製造包括沉積、光刻膠塗覆、曝光、顯影、蝕刻、移植、剝離等工序，其中曝光是微芯片生產(chan) 中的關(guan) 鍵工序，ASML 正是處於(yu) 半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 鏈中的曝光環節。
光刻機的作用原理有點像投影儀(yi) ，首先由光刻設備投射的光源通過帶有圖案的掩模投射出來，經過透鏡或鏡子將圖案聚焦在晶圓（類似於(yu) 投影幕布）上。
不過投射之後形成的形狀不是平麵的而是立體(ti) 的，通過蝕刻曝光或未受曝光的部分來形成溝槽，然後再進行沉積、蝕刻、摻雜，架構出不同材質的線路，生出基礎輪廓。此工藝過程被一再重複，將數十億(yi) 計的 MOSFET 或其他晶體(ti) 管建構在矽晶圓上，形成一般所稱的集成電路。
芯片在生產(chan) 過程中需要進行 20-30 次的光刻，耗時占到製造環節的 50% 左右，占芯片生產(chan) 成本的 1/3，光刻環節也決(jue) 定著芯片的製程和性能水平。
細數光刻機發展的這麽(me) 多年，入局者們(men) 基本圍繞降低 CD（曝光關(guan) 鍵尺寸，可作為(wei) 判斷分辨率的依據）展開競爭(zheng) 。
CD=k1* ( λ /NA )
CD 值越小表明曝光形成的關(guan) 鍵尺寸越小水平越高，各大廠商能做的也就是降低波長 λ，提高鏡頭的數值孔徑 NA，降低綜合因素 k1。
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